MEMS探针卡

产品内容

Flash Probe Card

<p style="text-indent:21.0000pt; text-align:justify"><span style="font-family:FangSong_GB2312;"><span style="font-size:10.5pt"><span style="font-size:10.5000pt">探针卡是连接半导体芯片和测试设备的装置,用于检查芯片功能。</span></span></span></p> <p style="text-indent:21.0000pt; text-align:justify"><span style="font-family:FangSong_GB2312;"><span style="font-size:10.5pt"><span style="font-size:10.5000pt">Flash是即使切断电源也不会消失数据的存储器,与一般的半导体存储器(DRAM)不同,可以通过施加稍高的电压来修改内容。与DRAM相比,每款产品的产量较多,探针卡需求量较大,但要求的针数较少。Flash分为储存容量大的数据</span><span style="font-size:10.5000pt">存储</span><span style="font-size:10.5000pt">型(NAND</span><span style="font-size:10.5000pt">&nbsp;F</span><span style="font-size:10.5000pt">lash)和处理速度快的代码</span><span style="font-size:10.5000pt">存储</span><span style="font-size:10.5000pt">型(</span><span style="font-size:10.5000pt">NOR</span>&nbsp;<span style="font-size:10.5000pt">Flash)两种。</span></span></span></p>

隐藏域元素占位

DRAM Probe Card

<p style="text-indent:21.0000pt; text-align:justify"><span style="font-family:FangSong_GB2312;"><span style="font-size:10.5pt"><span style="font-size:10.5000pt">探针卡是连接半导体芯片和测试设备的装置,用于检查芯片功能。</span></span></span></p> <p style="text-indent:21.0000pt; text-align:justify"><span style="font-family:FangSong_GB2312;"><span style="font-size:10.5pt"><span style="font-size:10.5000pt">DRAM探针卡比NAND探针卡要求更高的速度和精密</span><span style="font-size:10.5000pt">的</span><span style="font-size:10.5000pt">Timing,</span>&nbsp;<span style="font-size:10.5000pt">因此</span><span style="font-size:10.5000pt">对</span><span style="font-size:10.5000pt">pin的超小化(Fine-pitch Probe Card Pins)和窄间距(Pitch in Cooperative Probing)等技术难度较高。</span></span></span></p>

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